SIZ700DT-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIZ700DT-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIZ700DT-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

6-PowerPair™
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.6 mOhm @ 15A, 10V
Leistung - max

2.36W, 2.8W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-PowerPair™
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 16A 2.36W, 2.8W Surface Mount 6-PowerPair™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

16A

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Das Folgende sind "SIZ700DT-T1-GE3" -Einziper.

SIZ320DT-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIZ700DT-T1-GE3

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