SIZ328DT-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIZ328DT-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIZ328DT-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-Power33 (3x3)
Serie

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 5A, 10V, 10 mOhm @ 5A, 10V
Leistung - max

2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

8-PowerWDFN
Andere Namen

SIZ328DT-T1-GE3DKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 10V, 600pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc) 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)

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Das Folgende sind "SIZ328DT-T1-GE3" -Einziper.

SIZ700DT-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIZ328DT-T1-GE3

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