SIHFS9N60A-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIHFS9N60A-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

SIHFS9N60A-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-263 (D²Pak)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

750 mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max)

170W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit

18 Weeks
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9.2A (Tc)

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Das Folgende sind "SIHFS9N60A-GE3" -Einziper.

SIHF7N60E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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