SIHF8N50D-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIHF8N50D-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220 FLPK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIHF8N50D-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220 Full Pack
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

850 mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max)

33W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Andere Namen

SIHF8N50D-E3CT
SIHF8N50D-E3CT-ND
SIHF8N50DE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

18 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

527pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 8.7A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8.7A (Tc)

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Das Folgende sind "SIHF8N50D-E3" -Einziper.

SIHG11N80E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIHF8N50D-E3

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