SIA778DJ-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIA778DJ-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIA778DJ-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SC-70-6 Dual
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

29 mOhm @ 5A, 4.5V
Leistung - max

6.5W, 5W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SC-70-6 Dual
Andere Namen

SIA778DJ-T1-GE3TR
SIA778DJT1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

27 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 8V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V, 20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V, 20V 4.5A, 1.5A 6.5W, 5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.5A, 1.5A
Basisteilenummer

SIA778

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Das Folgende sind "SIA778DJ-T1-GE3" -Einziper.

SIA513DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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