SIA527DJ-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIA527DJ-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIA527DJ-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SC-70-6 Dual
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

29 mOhm @ 5A, 4.5V
Leistung - max

7.8W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SC-70-6 Dual
Andere Namen

SIA527DJ-T1-GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 8V
Typ FET

N and P-Channel
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.5A

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Das Folgende sind "SIA527DJ-T1-GE3" -Einziper.

SIA813DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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