SIA453EDJ-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIA453EDJ-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIA453EDJ-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SC-70-6 Single
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

18.5 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max)

3.5W (Ta), 19W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SC-70-6
Andere Namen

SIA453EDJ-T1-GE3DKR
Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 24A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

24A (Tc)

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Das Folgende sind "SIA453EDJ-T1-GE3" -Einziper.

SIA456DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIA453EDJ-T1-GE3

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