SIA449DJ-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIA449DJ-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIA449DJ-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SC-70-6 Single
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max)

3.5W (Ta), 19W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SC-70-6
Andere Namen

SIA449DJ-T1-GE3TR
SIA449DJT1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2140pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

12A (Tc)

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Das Folgende sind "SIA449DJ-T1-GE3" -Einziper.

SIA443DJ-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIA449DJ-T1-GE3

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