SI8425DB-T1-E1

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Spezifikation

Artikelnummer

SI8425DB-T1-E1
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI8425DB-T1-E1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA
Vgs (Max)

±10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

4-WLCSP (1.6x1.6)
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 2A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

4-UFBGA, WLCSP
Andere Namen

SI8425DB-T1-E1TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2800pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-WLCSP (1.6x1.6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

-

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Das Folgende sind "SI8425DB-T1-E1" -Einziper.

SI8423BD-B-ISR

Beschreibung: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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