SI6926ADQ-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI6926ADQ-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI6926ADQ-T1-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-TSSOP
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Leistung - max

830mW
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Andere Namen

SI6926ADQ-T1-E3DKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

33 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.1A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.1A
Basisteilenummer

SI6926

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Das Folgende sind "SI6926ADQ-T1-E3" -Einziper.

SI6954ADQ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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