SI6562CDQ-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI6562CDQ-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI6562CDQ-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-TSSOP
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 5.7A, 4.5V
Leistung - max

1.6W, 1.7W
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Andere Namen

SI6562CDQ-T1-GE3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V
Typ FET

N and P-Channel
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6.7A, 6.1A
Basisteilenummer

SI6562

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Das Folgende sind "SI6562CDQ-T1-GE3" -Einziper.

SI6562DQ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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