SI5933CDC-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI5933CDC-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI5933CDC-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

1206-8 ChipFET™
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

144 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Leistung - max

2.8W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SMD, Flat Lead
Andere Namen

SI5933CDC-T1-GE3TR
SI5933CDCT1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

276pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.8nC @ 5V
Typ FET

2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.7A 2.8W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.7A
Basisteilenummer

SI5933

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Das Folgende sind "SI5933CDC-T1-GE3" -Einziper.

SI5935CDC-T1-E3

Beschreibung:

Hersteller: VISHAY

vorrätig

SI5933CDC-T1-GE3

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