SI4532ADY-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI4532ADY-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4532ADY-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

53 mOhm @ 4.9A, 10V
Leistung - max

1.13W, 1.2W
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SI4532ADY-T1-GE3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V
Typ FET

N and P-Channel
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 3A 1.13W, 1.2W Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.7A, 3A

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Das Folgende sind "SI4532ADY-T1-GE3" -Einziper.

SI4532DY

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

SI4532ADY-T1-GE3

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