SI4501BDY-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI4501BDY-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4501BDY-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SOIC
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 10A, 10V
Leistung - max

4.5W, 3.1W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SI4501BDY-T1-GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

805pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V
Typ FET

N and P-Channel, Common Drain
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V, 8V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V, 8V 12A, 8A 4.5W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

12A, 8A

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Das Folgende sind "SI4501BDY-T1-GE3" -Einziper.

SI4532ADY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4501BDY-T1-GE3

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