SI4455DY-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI4455DY-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4455DY-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

295 mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max)

5.9W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SI4455DY-T1-GE3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

33 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1190pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

150V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 150V 2A (Ta) 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2A (Ta)

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Das Folgende sind "SI4455DY-T1-GE3" -Einziper.

SI4455-B1A-FM

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

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