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S8CKHM3/I

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S8CKHM3/I
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    985mV @ 8A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4µs
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    53 Weeks
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 8A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    8A
  • Kapazität @ Vr, F
    79pF @ 4V, 1MHz
S8CM-M3/I

S8CM-M3/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
DB2440200L

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 2A TMINIP2

Hersteller: Panasonic
vorrätig
S8CJ-M3/I

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
UG15JTHE3/45

UG15JTHE3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
VS-VSKE196/16PBF

VS-VSKE196/16PBF

Beschreibung: DIODE GP 1.4KV 195A INTAPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RS1PBHM3/84A

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
UPS1100E3/TR7

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1A 100V POWERMITE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
S8CJHM3/I

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S8CMHM3/I

S8CMHM3/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SK86CHR7G

SK86CHR7G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S8CG-M3/I

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
CSFMT103-HF

CSFMT103-HF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A SOD123H

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
MBRF2060HC0G

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 20A ITO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ESH1DHE3/5AT

ESH1DHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
VS-25FR60M

VS-25FR60M

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 25A DO203AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S8CGHM3/I

S8CGHM3/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N6627US

1N6627US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
S1PBHE3/84A

S1PBHE3/84A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S8CK-M3/I

S8CK-M3/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
VS-87HFR10

VS-87HFR10

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 85A DO203AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig

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