EPC2049ENGRT

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Spezifikation

Artikelnummer

EPC2049ENGRT
Hersteller / Marke

EPC
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS GAN 40V BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

EPC2049ENGRT.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 6mA
Vgs (Max)

+6V, -4V
Technologie

GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device-Gehäuse

Die
Serie

eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 mOhm @ 15A, 5V
Verlustleistung (max)

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

Die
Andere Namen

917-EPC2049ENGRTR
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

14 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

805pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.6nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 16A (Ta) Surface Mount Die
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

16A (Ta)

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Das Folgende sind "EPC2049ENGRT" -Einziper.

EPC2039

Beschreibung: TRANS GAN 80V BUMPED DIE

Hersteller: EPC

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