EPC2047ENGRT

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Spezifikation

Artikelnummer

EPC2047ENGRT
Hersteller / Marke

EPC
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS GAN 200V BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

EPC2047ENGRT.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 7mA
Vgs (Max)

+6V, -4V
Technologie

GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device-Gehäuse

Die
Serie

eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 20A, 5V
Verlustleistung (max)

-
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

Die
Andere Namen

917-EPC2047ENGRDKR
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1050pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.2nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 200V 32A (Ta) Surface Mount Die
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

32A (Ta)

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "EPC2047ENGRT" -Einziper.

EPC2101

Beschreibung: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Hersteller: EPC

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