ZXMC4559DN8TC

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Spezifikation

Artikelnummer

ZXMC4559DN8TC
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ZXMC4559DN8TC.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 4.5A, 10V
Leistung - max

2.1W
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

ZXMC4559DN8TCDICT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1063pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.4nC @ 10V
Typ FET

N and P-Channel
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.6A, 2.6A 2.1W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.6A, 2.6A

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Das Folgende sind "ZXMC4559DN8TC" -Einziper.

ZXMD63N02XTC

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMC4559DN8TC

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