ZXMC3F31DN8TA

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Spezifikation

Artikelnummer

ZXMC3F31DN8TA
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ZXMC3F31DN8TA.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

24 mOhm @ 7A, 10V
Leistung - max

1.8W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

ZXMC3F31DN8TADI
ZXMC3F31DN8TADI-ND
ZXMC3F31DN8TADITR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

26 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

608pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.9nC @ 10V
Typ FET

N and P-Channel
FET-Merkmal

Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.8A, 4.9A 1.8W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6.8A, 4.9A

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Das Folgende sind "ZXMC3F31DN8TA" -Einziper.

ZXMC4A16DN8TC

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMC3F31DN8TA

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