DMTH6016LSDQ-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMTH6016LSDQ-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMTH6016LSDQ-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

19.5 mOhm @ 10A, 10V
Leistung - max

1.4W, 1.9W
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

DMTH6016LSDQ-13DICT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

28 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

864pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7.6A (Ta) 1.4W, 1.9W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7.6A (Ta)

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Das Folgende sind "DMTH6016LSDQ-13" -Einziper.

DMTH8012LK3Q-13

Beschreibung: MOSFET NCH 80V 50A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6016LSDQ-13

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