DMT6009LFG-7

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Spezifikation

Artikelnummer

DMT6009LFG-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMT6009LFG-7.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerDI3333-8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 13.5A, 10V
Verlustleistung (max)

2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerWDFN
Andere Namen

DMT6009LFG-7DICT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1925pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33.5nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 11A (Ta), 34A (Tc) 2.08W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A (Ta), 34A (Tc)

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Das Folgende sind "DMT6009LFG-7" -Einziper.

DMT6004SPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 23A POWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6009LFG-7

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