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DMT6004SPS-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMT6004SPS-13
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 23A POWERDI5060
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerDI5060-8
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.1 mOhm @ 50A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2.5W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerTDFN
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    20 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    4556pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    95.4nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 23A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    23A (Ta)
DMT4S1K-F

DMT4S1K-F

Beschreibung: CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
DMT5015LFDF-7

DMT5015LFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMT6009LFG-7

DMT6009LFG-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMT6004SCT

DMT6004SCT

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMT5015LFDF-13

DMT5015LFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMT6005LCT

DMT6005LCT

Beschreibung: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMT6008LFG-7

DMT6008LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMT4P1K-F

DMT4P1K-F

Beschreibung: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
DMT6005LSS-13

DMT6005LSS-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMT6008LFG-13

DMT6008LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMT6009LFG-13

DMT6009LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMT6002LPS-13

DMT6002LPS-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMT6009LCT

DMT6009LCT

Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMT4P1K

DMT4P1K

Beschreibung: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMT4P22K-F

DMT4P22K-F

Beschreibung: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
DMT6004LPS-13

DMT6004LPS-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMT6007LFG-7

DMT6007LFG-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMT6007LFG-13

DMT6007LFG-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMT4P22K

DMT4P22K

Beschreibung: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig

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