DMT4011LFG-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMT4011LFG-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
Datenblätte

DMT4011LFG-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

+20V, -16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerDI3333-8
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

15.6W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

767pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.1nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 30A (Tc) 15.6W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

30A (Tc)

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Das Folgende sind "DMT4011LFG-13" -Einziper.

DMT4D47K

Beschreibung: CAP FILM 4700PF 10% 400VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

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