DMT34M1LPS-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMT34M1LPS-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 100A POWERDI5060
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
Datenblätte

DMT34M1LPS-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerDI5060-8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

42W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2242pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 100A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100A (Tc)

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Das Folgende sind "DMT34M1LPS-13" -Einziper.

DMT4004LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 40V 26A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

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