DMP58D0LFB-7B

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Spezifikation

Artikelnummer

DMP58D0LFB-7B
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMP58D0LFB-7B.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

3-X1DFN1006
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 Ohm @ 100mA, 5V
Verlustleistung (max)

470mW (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

3-UFDFN
Andere Namen

DMP58D0LFB-7BDIDKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

27pF @ 25V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

50V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 50V 180mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount 3-X1DFN1006
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

180mA (Ta)

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Das Folgende sind "DMP58D0LFB-7B" -Einziper.

DMP45H4D9HK3-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMP58D0LFB-7B

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