DMP3017SFV-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMP3017SFV-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 40A POWERDI3333
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMP3017SFV-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerDI3333-8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 11.5A, 10V
Verlustleistung (max)

31W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2246pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 40A (Tc) 31W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

40A (Tc)

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DMP3013SFV-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V PWRDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

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