DMN61D8LVTQ-7

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN61D8LVTQ-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN61D8LVTQ-7.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse

TSOT-26
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Leistung - max

820mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

DMN61D8LVTQ-7DICT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12.9pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.74nC @ 5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 630mA 820mW Surface Mount TSOT-26
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

630mA

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Das Folgende sind "DMN61D8LVTQ-7" -Einziper.

DMN61D8L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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