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DMN60H080DS-7

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN60H080DS-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN60H080DS-7.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23-3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

100 Ohm @ 60mA, 10V
Verlustleistung (max)

1.1W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

DMN60H080DS-7-ND
DMN60H080DS-7DITR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 80mA (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

80mA (Ta)

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Das Folgende sind "DMN60H080DS-7" -Einziper.

DMN61D8LQ-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated

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