DMN6070SSD-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN6070SSD-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN6070SSD-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 12A, 10V
Leistung - max

1.2W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

DMN6070SSD-13DITR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

588pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.3nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.3A 1.2W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.3A

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Das Folgende sind "DMN6070SSD-13" -Einziper.

08052A101KAJ4A

Beschreibung: CAP CER 100PF 200V C0G/NP0 0805

Hersteller: AVX Corporation

vorrätig

RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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