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5599983DMN3300U-7-Bild.Diodes Incorporated

DMN3300U-7

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN3300U-7
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    150 mOhm @ 4.5A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    700mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    DMN3300U-7-ND
    DMN3300U-7DITR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    193pF @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2A (Ta)
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN3730UFB-7

DMN3730UFB-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN33D8LDW-7

DMN33D8LDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN31D6UT-7

DMN31D6UT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN33D8LDW-13

DMN33D8LDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN3730U-7

DMN3730U-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN33D8LT-7

DMN33D8LT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN4008LFG-13

DMN4008LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN32D2LDF-7

DMN32D2LDF-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

Beschreibung:

Hersteller: DIODES
vorrätig
DMN32D4SDW-13

DMN32D4SDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN3404L-7

DMN3404L-7

Beschreibung:

Hersteller: DIODES
vorrätig
DMN3200U-7

DMN3200U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN3900UFA-7B

DMN3900UFA-7B

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN31D5UFZ-7B

DMN31D5UFZ-7B

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig

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