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5272579DMN32D2LDF-7-Bild.Diodes Incorporated

DMN32D2LDF-7

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN32D2LDF-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN32D2LDF-7.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-353
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.2 Ohm @ 100mA, 4V
  • Leistung - max
    280mW
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Andere Namen
    DMN32D2LDF-7DICT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    24 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    39pF @ 3V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    -
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual) Common Source
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 30V 400mA 280mW Surface Mount SOT-353
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    400mA

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Das Folgende sind "DMN32D2LDF-7" -Einziper.
DMN3300U-7

DMN3300U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN313DLT-7

DMN313DLT-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3150LW-7

DMN3150LW-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3404L-7

DMN3404L-7

Beschreibung:

Hersteller: DIODES
vorrätig
RFQ
DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3150L-7

DMN3150L-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

Beschreibung:

Hersteller: DIODES
vorrätig
RFQ
DMN31D5UFZ-7B

DMN31D5UFZ-7B

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN33D8LT-7

DMN33D8LT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN33D8LDW-7

DMN33D8LDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN32D4SDW-13

DMN32D4SDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3200U-7

DMN3200U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN31D6UT-7

DMN31D6UT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN33D8LDW-13

DMN33D8LDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ

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