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4768027DMN3112S-7-Bild.Diodes Incorporated

DMN3112S-7

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN3112S-7
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    57 mOhm @ 5.8A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.4W (Ta)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    DMN3112SDICT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    268pF @ 5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 5.8A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    5.8A (Ta)
DMN3112SSS-13

DMN3112SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN3115UDM-7

DMN3115UDM-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN3110LCP3-7

DMN3110LCP3-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN3110S-7

DMN3110S-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN3150LW-7

DMN3150LW-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN3067LW-13

DMN3067LW-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

Beschreibung:

Hersteller: DIODES
vorrätig
DMN31D5UFZ-7B

DMN31D5UFZ-7B

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN3067LW-7

DMN3067LW-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN30H4D0LFDE-13

DMN30H4D0LFDE-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN30H4D0LFDE-7

DMN30H4D0LFDE-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN30H4D0L-7

DMN30H4D0L-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN30H14DLY-13

DMN30H14DLY-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN3070SSN-7

DMN3070SSN-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN30H4D0L-13

DMN30H4D0L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V .25A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN3150L-7

DMN3150L-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMN313DLT-7

DMN313DLT-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig

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