DMN3110LCP3-7

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN3110LCP3-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN3110LCP3-7.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA
Vgs (Max)

12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

X2-DFN1006-3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

69 mOhm @ 500mA, 8V
Verlustleistung (max)

1.38W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

3-XFDFN
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.52nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 8V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 3.2A (Ta) 1.38W Surface Mount X2-DFN1006-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.2A (Ta)

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Das Folgende sind "DMN3110LCP3-7" -Einziper.

DMN3065LW-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated

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