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3643300DMN3015LSD-13-Bild.Diodes Incorporated

DMN3015LSD-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN3015LSD-13
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN3015LSD-13.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15 mOhm @ 12A, 10V
  • Leistung - max
    1.2W
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    DMN3015LSD-13DICT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1415pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25.1nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Standard
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.4A (Ta) 1.2W Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    8.4A (Ta)

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Das Folgende sind "DMN3015LSD-13" -Einziper.
DMN3010LFG-13

DMN3010LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3016LFDF-13

DMN3016LFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3009SK3-13

DMN3009SK3-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3009SFGQ-13

DMN3009SFGQ-13

Beschreibung: MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3010LK3-13

DMN3010LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 43A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3016LFDE-7

DMN3016LFDE-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3012LFG-13

DMN3012LFG-13

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3016LK3-13

DMN3016LK3-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3016LFDE-13

DMN3016LFDE-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3010LSS-13

DMN3010LSS-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3009SFGQ-7

DMN3009SFGQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3016LFDF-7

DMN3016LFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3016LPS-13

DMN3016LPS-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3009SFG-7

DMN3009SFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3010LFG-7

DMN3010LFG-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
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