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2666072DMN3010LSS-13-Bild.Diodes Incorporated

DMN3010LSS-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN3010LSS-13
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN3010LSS-13.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SOP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9 mOhm @ 16A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2.5W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    24 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2096pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    43.7nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    16A (Ta)

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Das Folgende sind "DMN3010LSS-13" -Einziper.
DMN3009SFG-13

DMN3009SFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3010LFG-7

DMN3010LFG-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3009SFGQ-13

DMN3009SFGQ-13

Beschreibung: MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3016LFDE-7

DMN3016LFDE-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3009SFGQ-7

DMN3009SFGQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3010LFG-13

DMN3010LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3009SK3-13

DMN3009SK3-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3009LFVW-13

DMN3009LFVW-13

Beschreibung: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3009LFVW-7

DMN3009LFVW-7

Beschreibung: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3015LSD-13

DMN3015LSD-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3009SFG-7

DMN3009SFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3016LFDE-13

DMN3016LFDE-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3010LK3-13

DMN3010LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 43A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3012LFG-13

DMN3012LFG-13

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMN3016LFDF-13

DMN3016LFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
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