DMG8822UTS-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMG8822UTS-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMG8822UTS-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-TSSOP
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Leistung - max

870mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

841pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.6nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 4.9A (Ta) 870mW Surface Mount 8-TSSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.9A (Ta)

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Das Folgende sind "DMG8822UTS-13" -Einziper.

DMG7401SFGQ-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

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