DMG6402LVT-7

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Spezifikation

Artikelnummer

DMG6402LVT-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMG6402LVT-7.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TSOT-26
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 7A, 10V
Verlustleistung (max)

1.75W (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

DMG6402LVT-7DICT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

498pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.4nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 6A (Ta) 1.75W (Ta) Surface Mount TSOT-26
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6A (Ta)

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Das Folgende sind "DMG6402LVT-7" -Einziper.

DMG6968U-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated

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