DMC1030UFDB-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMC1030UFDB-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMC1030UFDB-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

U-DFN2020-6 (Type B)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Leistung - max

1.36W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-UDFN Exposed Pad
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V
Typ FET

N and P-Channel Complementary
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel Complementary 12V 5.1A (Ta), 3.9A (Ta) 1.36W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5.1A (Ta), 3.9A (Ta)

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Das Folgende sind "DMC1030UFDB-13" -Einziper.

DMC1029UFDB-13

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated

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