DMC1016UPD-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMC1016UPD-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMC1016UPD-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

PowerDI5060-8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 11.8A, 4.5V
Leistung - max

2.3W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

DMC1016UPD-13DITR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1454pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 8V
Typ FET

N and P-Channel
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V, 20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel 12V, 20V 9.5A, 8.7A 2.3W Surface Mount PowerDI5060-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9.5A, 8.7A

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Das Folgende sind "DMC1016UPD-13" -Einziper.

DMC1030UFDB-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated

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