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6355218DI9956T-Bild.Diodes Incorporated

DI9956T

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DI9956T
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SOP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80 mOhm @ 2.2A, 10V
  • Leistung - max
    2W
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    DI9956
    DI9956CT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    320pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    27nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.7A 2W Surface Mount 8-SOP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    3.7A
  • Basisteilenummer
    DI9956
SQJ960EP-T1_GE3

SQJ960EP-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 8A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ALD212908SAL

ALD212908SAL

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
vorrätig
SI4914BDY-T1-E3

SI4914BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
FDW2512NZ

FDW2512NZ

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
DI9952T

DI9952T

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
AON4807_101

AON4807_101

Beschreibung: MOSFET P-CH DUAL DFN

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
BSZ0909NDXTMA1

BSZ0909NDXTMA1

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 30V 20A WISON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
NTJD4401NT4G

NTJD4401NT4G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
DI9400T

DI9400T

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
SI5903DC-T1-E3

SI5903DC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
APTM100H46FT3G

APTM100H46FT3G

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
DI9405T

DI9405T

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
SQJ963EP-T1_GE3

SQJ963EP-T1_GE3

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
MMDF3N04HDR2G

MMDF3N04HDR2G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
DI9430T

DI9430T

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
PMDPB70XPE,115

PMDPB70XPE,115

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON

Hersteller: Nexperia
vorrätig
DI9435T

DI9435T

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
IRF5810TR

IRF5810TR

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
DI9942T

DI9942T

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DI9945T

DI9945T

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig

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