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1640437DI9435T-Bild.Diodes Incorporated

DI9435T

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DI9435T
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50 mOhm @ 5.3A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2.5W (Ta)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
  • Andere Namen
    DI9435
    DI9435CT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    950pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    40nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 30V 5.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    5.3A (Ta)
DI9945T

DI9945T

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DI9942T

DI9942T

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DI9952T

DI9952T

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
FQA160N08

FQA160N08

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 160A TO-3P

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
2N6661JTXL02

2N6661JTXL02

Beschreibung: MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
IXTH6N150

IXTH6N150

Beschreibung:

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
NTMFS5C646NLT3G

NTMFS5C646NLT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 20A SO-8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RSQ015N06TR

RSQ015N06TR

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
NVMFS5832NLT1G

NVMFS5832NLT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
AUIRFR120Z

AUIRFR120Z

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
DI9405T

DI9405T

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
SPP15P10P

SPP15P10P

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 15A TO-220AB

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
DI9430T

DI9430T

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
SPD04N50C3BTMA1

SPD04N50C3BTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IRFR6215TRL

IRFR6215TRL

Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
DI9956T

DI9956T

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
IPB65R150CFDAATMA1

IPB65R150CFDAATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IRLBD59N04ETRLP

IRLBD59N04ETRLP

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
3LP01SS-TL-H

3LP01SS-TL-H

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
DI9400T

DI9400T

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig

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