APT13003NZTR-G1

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Spezifikation

Artikelnummer

APT13003NZTR-G1
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC POWER TRANSISTOR HV TO92
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
Datenblätte

APT13003NZTR-G1.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

900V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 250mA, 1A
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

TO-92
Serie

-
Leistung - max

1W
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Andere Namen

APT13003NZTR-G1DICT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

4MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 900V 1.5A 4MHz 1W Through Hole TO-92
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

5 @ 1A, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max)

-
Strom - Kollektor (Ic) (max)

1.5A

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Das Folgende sind "APT13003NZTR-G1" -Einziper.

APT13003HZTR-G1

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated

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