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S29GL512T10TFI020

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    S29GL512T10TFI020
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  • Bestandsmenge
    vorrätig
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  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    60ns
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NOR
  • Supplier Device-Gehäuse
    56-TSOP
  • Serie
    GL-T
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Andere Namen
    428-3616
    S29GL512T10TFI020-ND
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 100ns 56-TSOP
  • Zugriffszeit
    100ns
S29GL512T10TFI033

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Beschreibung: IC NOR

Hersteller: Cypress Semiconductor
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S29GL512T10TFI043

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Beschreibung: IC NOR

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S29GL512T11DHB020

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Beschreibung: IC 512 MB FLASH MEMORY

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S29GL512T10TFA020

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Beschreibung: IC 512 MB FLASH MEMORY

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S29GL512T11DHB023

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Beschreibung: IC 512M FLASH MEMORY

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S29GL512T10FHI040

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Beschreibung: IC 512M FLASH MEMORY

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S29GL512T10TFI023

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

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S29GL512T10GHI010

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 56BGA

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S29GL512T10FHI033

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Beschreibung: IC NOR

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Beschreibung: IC NOR

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S29GL512T10TFI030

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Beschreibung: IC NOR

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S29GL512T10TFI010

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Beschreibung:

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S29GL512T10FHI030

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Beschreibung: IC NOR

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S29GL512T11DHB013

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S29GL512T10GHI020

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 56BGA

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S29GL512T10TFA023

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Beschreibung: IC 512M FLASH MEMORY

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S29GL512T11DHIV10

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

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S29GL512T10TFI013

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL

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S29GL512T10TFI040

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