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6065628FM25L04B-GTR-Bild.Cypress Semiconductor

FM25L04B-GTR

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  • Artikelnummer
    FM25L04B-GTR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FRAM (Ferroelectric RAM)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SOIC
  • Serie
    F-RAM™
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    428-3437-2
    FM25L04B-GTRRA
    FM25L04B-GTRRA-ND
    FM25L04BGTR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    4Kb (512 x 8)
  • Speicherschnittstelle
    SPI
  • Speicherformat
    FRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 4Kb (512 x 8) SPI 20MHz 8-SOIC
  • Uhrfrequenz
    20MHz
  • Basisteilenummer
    FM25L04
FM25L04B-GA4TR

FM25L04B-GA4TR

Beschreibung: IC FRAM 4K SPI 8SOIC

Hersteller: Cypress Semiconductor
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FM25L04B-DG

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FM25V01-G

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Beschreibung: IC FRAM 128K SPI 40MHZ 8SOIC

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FM25L16B-G

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Beschreibung: IC FRAM 16K SPI 20MHZ 8SOIC

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FM25V02-DGTR

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FM25V01A-GTR

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Beschreibung:

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FM25L04B-GA4

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FM25L04B-GATR

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Beschreibung: IC FRAM 4K SPI 10MHZ 8SOIC

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FM25H20-GTR

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Beschreibung: IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8SOIC

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FM25L16B-GTR

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Beschreibung:

Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
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FM25L04B-GA

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FM25V02-DG

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FM25L16B-DGTR

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FM25V01-GTR

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FM25H20-DGTR

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FM25L04B-G

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FM25L16B-DG

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FM25H20-G

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