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3063818FM24C64B-GTR-Bild.Cypress Semiconductor

FM24C64B-GTR

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    FM24C64B-GTR
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  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Technologie
    FRAM (Ferroelectric RAM)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SOIC
  • Serie
    F-RAM™
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    428-3543-1
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    64Kb (8K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    I²C
  • Speicherformat
    FRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 64Kb (8K x 8) I²C 1MHz 550ns 8-SOIC
  • Uhrfrequenz
    1MHz
  • Zugriffszeit
    550ns
FM24CL16B-GTR

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Hersteller: Cypress Semiconductor
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FM24CL16B-DG

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Beschreibung: IC FRAM 64K I2C 1MHZ 8TDFN

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FM24CL04B-GTR

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FM24C64B-G

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FM24CL64B-DGTR

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FM22LD16-55-BG

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Beschreibung: IC FRAM 4M PARALLEL 48FBGA

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FM22L16-55-TG

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FM24CL16B-G

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FM24C04B-G

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Beschreibung: IC FRAM 4K I2C 1MHZ 8SOIC

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FM22LD16-55-BGTR

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FM24CL16B-DGTR

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FM24C16B-GTR

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Beschreibung: IC FRAM 16K I2C 1MHZ 8SOIC

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Beschreibung: IC FRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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FM23MLD16-60-BG

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Beschreibung: IC FRAM 8M PARALLEL 48FBGA

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FM24C04B-GTR

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