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741927CY7C1019D-10ZSXI-Bild.Cypress Semiconductor

CY7C1019D-10ZSXI

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    CY7C1019D-10ZSXI
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    10ns
  • Spannungsversorgung
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    32-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
  • Andere Namen
    428-1965
    CY7C1019D-10ZSXI-ND
    CY7C1019D10ZSXI
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1Mb (128K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    9 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 10ns 32-TSOP II
  • Basisteilenummer
    CY7C1019
  • Zugriffszeit
    10ns
CY7C1019CV33-10ZXI

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

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CY7C1019CV33-12VC

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CY7C1019D-10VXI

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CY7C1020B-12VXCT

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CY7C1020B-12ZXC

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CY7C1019D-10VXIT

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CY7C1019CV33-12ZXCT

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