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CY62256NLL-55SNXE

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    CY62256NLL-55SNXE
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    55ns
  • Spannungsversorgung
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    28-SOIC
  • Serie
    MoBL®
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • Andere Namen
    CY62256NLL55SNXE
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    256Kb (32K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Asynchronous Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 55ns 28-SOIC
  • Basisteilenummer
    CY62256
  • Zugriffszeit
    55ns
CY62256NLL-55ZXA

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Beschreibung: IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

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CY62256NL-70SNXI

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Beschreibung: IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC

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CY62256NLL-55ZXET

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CY62256NLL-55SNXET

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CY62256LL-70ZXCT

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CY62256NL-70SNXC

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CY62256NLL-55ZXI

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Beschreibung: IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

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CY62256NLL-55ZRXET

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Beschreibung: IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

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CY62256NL-70SNXCT

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CY62256NLL-55ZRXE

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Beschreibung: IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

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CY62256NL-70PXC

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Beschreibung: IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP

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CY62256LL-70ZXC

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CY62256LL-70ZRXI

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CY62256LL-70ZXI

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CY62256NLL-55SNXIT

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CY62256NLL-55ZXE

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CY62256NLL-55SNXI

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CY62256NLL-55ZXAT

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CY62256LL-70ZRXIT

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CY62256LL-70ZXIT

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