CTLDM8120-M621H BK

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Spezifikation

Artikelnummer

CTLDM8120-M621H BK
Hersteller / Marke

Central Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V DFN6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

CTLDM8120-M621H BK.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TLM621H
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

150 mOhm @ 950mA, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.6W (Ta)
Verpackung / Gehäuse

6-XFDFN Exposed Pad
Andere Namen

CTLDM8120-M621H BK-ND
CTLDM8120-M621HBK
Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.56nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 950mA (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount TLM621H
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

950mA (Ta)

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Das Folgende sind "CTLDM8120-M621H BK" -Einziper.

CTLDM8002A-M621 BK

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V DFN6

Hersteller: Central Semiconductor

vorrätig

CTLDM8120-M621H BK

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