CTLDM7120-M832DS BK

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Spezifikation

Artikelnummer

CTLDM7120-M832DS BK
Hersteller / Marke

Central Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET DUAL N-CHANNEL
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

CTLDM7120-M832DS BK.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse

TLM832DS
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 500mA, 4.5V
Leistung - max

1.65W
Verpackung / Gehäuse

8-TDFN Exposed Pad
Andere Namen

CTLDM7120-M832DS BK-ND
CTLDM7120-M832DSBK
Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.4nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1A (Ta) 1.65W Surface Mount TLM832DS
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1A (Ta)

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Das Folgende sind "CTLDM7120-M832DS BK" -Einziper.

CTLDM7003-M621 TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V DFN6

Hersteller: Central Semiconductor

vorrätig

CTLDM7120-M832DS BK

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